成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：江蘇 無錫

主營產(chǎn)品： igbt模塊

成立時(shí)間：2024-11-25

所在地區(qū)：廣東 深圳

公司地址：華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈12層J

主營產(chǎn)品： 半導(dǎo)體IGBT功率模塊 IPM智能模塊 晶閘管 可控硅

成立時(shí)間：2024-11-04

所在地區(qū)：廣東 深圳

主營產(chǎn)品： igbt mos ic 光耦等

成立時(shí)間：2021-11-24

所在地區(qū)：江蘇 蘇州

公司地址：昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機(jī)電城北樓D203號

主營產(chǎn)品： 可控硅-晶閘管-二極管-IGBT-熔斷器-MOS管

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：武漢市東湖開發(fā)區(qū)武大科技園武大園路7號航域D8棟

主營產(chǎn)品： 英飛凌IGBT模塊 富士IGBT模塊 薄膜電容 IGBT驅(qū)動(dòng)

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：上海 奉賢

公司地址：上海市奉賢區(qū)奉金路559號2幢

主營產(chǎn)品： 可控硅 熔斷器 整流橋 IGBT模塊

成立時(shí)間：2013-07-01

所在地區(qū)：北京 朝陽

公司地址：將臺鄉(xiāng)駝房營新華科技大廈

主營產(chǎn)品： igbt模塊 晶閘管可控硅電容 ABB西門子變頻器配件 IPM模塊

成立時(shí)間：2024-01-06

所在地區(qū)：湖北 武漢

主營產(chǎn)品： 英飛凌igbt 新潔能mos

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：洪山區(qū)東西湖經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)財(cái)富一路8號

主營產(chǎn)品： 臺灣建準(zhǔn)散熱風(fēng)扇 igbt模塊 明緯電源 LEM傳感器

成立時(shí)間：2024-05-08

所在地區(qū)：湖北 武漢

主營產(chǎn)品： 日立abb igbt pnj碳化硅分立器件

成立時(shí)間：2024-03-05

所在地區(qū)：上海 奉賢

主營產(chǎn)品： igbt模塊 可控硅模塊

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：財(cái)富一路

主營產(chǎn)品： igbt模塊 lem傳感器

成立時(shí)間：2024-02-25

所在地區(qū)：浙江 寧波

公司地址：洞橋鎮(zhèn)魚山頭村

主營產(chǎn)品： 串聯(lián)逆變中頻爐 感應(yīng)加熱爐 IGBT中頻爐 工頻電爐

成立時(shí)間：2024-11-25

所在地區(qū)：陜西 西安

主營產(chǎn)品： igbt測試設(shè)備 可控硅

成立時(shí)間：2022-12-01

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)財(cái)富一路8號實(shí)驗(yàn)樓409號

主營產(chǎn)品： 英飛凌IGBT 明緯電源 電容

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：湖北 武漢

主營產(chǎn)品： igbt模塊 可控硅

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：湖北 武漢

主營產(chǎn)品： igbt模塊

成立時(shí)間：2024-11-22

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：東湖開發(fā)區(qū)武漢大學(xué)科技園武大園路7號武大航域D8棟

主營產(chǎn)品： igbt模塊

成立時(shí)間：2024-02-04

所在地區(qū)：湖南 婁底

公司地址：群樂街23號眾一電子產(chǎn)業(yè)園內(nèi)

主營產(chǎn)品： 導(dǎo)熱材料 導(dǎo)熱相變材料 導(dǎo)熱硅膠 igbt散熱

成立時(shí)間：2020-01-01

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：財(cái)富一路8號武漢新瑞科電氣技術(shù)有限公司實(shí)驗(yàn)樓402

主營產(chǎn)品： 建準(zhǔn)散熱風(fēng)扇 萊姆傳感器 IGBT模塊 電動(dòng)汽車電驅(qū)